產品列表 / products
| ::ATtiny2313V中(zhong)文(wen)簡(jian)介:: |
| ATtiny2313V是基於(yu)增(zeng)強的(de)AVR RISC結構的(de)低功(gong)耗(hao)8位(wei)CMOS微控制(zhi)器。由於(yu)其先(xian)進(jin)的指令(ling)集(ji)以及單(dan)時(shi)鐘周期(qi)指令(ling)執(zhi)行(xing)時(shi)間, ATtiny2313V的數(shu)據吞(tun)吐率(lv)高(gao)達1 MIPS/MHz,從(cong)而(er)可以緩減(jian)系統在功(gong)耗(hao)和(he)處理速(su)度(du)之間的矛盾。 |
| ::ATtiny2313V特(te)性:: |
| • 使(shi)用AVR® RISC 結構 • AVR – 高(gao)性(xing)能(neng)、低功(gong)耗(hao)的RISC 結構 – 120 條(tiao)指令(ling)– 大(da)多數(shu)指令(ling)執(zhi)行(xing)時(shi)間為單(dan)個(ge)時(shi)鐘周期(qi) – 32 個(ge)8 位(wei)通(tong)用工作(zuo)寄(ji)存(cun)器 – 全(quan)靜(jing)態(tai)工作(zuo) – 工作(zuo)於(yu)20 MHz 時(shi)性能(neng)高(gao)達20 MIPS • 數(shu)據與(yu)非易失(shi)性(xing)程(cheng)序和(he)數(shu)據存(cun)儲(chu)器 – 2K字(zi)節的(de)系統內可編(bian)程(cheng)Flash擦(ca)寫壽(shou)命: 10,000 次(ci) – 128 字節的(de)系統內可編(bian)程(cheng)EEPROM擦(ca)寫壽(shou)命: 100,000 次(ci) – 128 字節的(de)片(pian)內SRAM – 可以對鎖(suo)定位(wei)進(jin)行編程(cheng)以及實(shi)現EEPROM 數(shu)據的(de)加密 • 外(wai)設特(te)點 – 具有(you)獨立(li)預分(fen)頻器及(ji)比較模(mo)式的8 位(wei)定(ding)時(shi)器/ 計數(shu)器 – 具有(you)獨立(li)預分(fen)頻器及(ji)比較、捕(bu)獲模(mo)式的16 位(wei)定(ding)時(shi)器/ 計數(shu)器 – 四(si)路PWM 通道 – 片(pian)內模(mo)擬(ni)比較(jiao)器 – 具有(you)片(pian)內振蕩器的(de)可編(bian)程(cheng)看(kan)門(men)狗定(ding)時(shi)器 – USI – 全(quan)局串(chuan)行(xing)接口(kou) – 全(quan)雙工USART • 特(te)殊的(de)處理器特(te)點 – debugWIRE 片(pian)上(shang)調(tiao)試 – 通(tong)過SPI 端(duan)口(kou)在系統內可編(bian)程(cheng) – 片(pian)內/ 片(pian)外中(zhong)斷源 – 低功(gong)耗(hao)空閑模式、掉電(dian)模式、Standby 模式 – 增(zeng)強型(xing)上(shang)電(dian)復(fu)位(wei) – 可編(bian)程(cheng)的掉(diao)電檢測(ce) – 片(pian)內標(biao)定振蕩器 ...... |
| ::ATtiny2313V應(ying)用領域:: |
| 有(you)待(dai)添加 |
| ::ATtiny2313V定(ding)貨信(xin)息(xi)(僅供參(can)考):: |
| ATtiny2313V-10PI ATtiny2313V-10PJ ATtiny2313V-10SI ATtiny2313V-10SJ |
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