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規範(fan)安(an)裝是確(que)保(bao)BP3318原裝正(zheng)品(pin)可靠與(yu)合(he)規的(de)核心(xin)
更新(xin)時(shi)間：2025-11-19 點擊(ji)量：190
BP3318原裝正(zheng)品(pin)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)於(yu)LED照(zhao)明、智(zhi)能(neng)調(tiao)光及(ji)低壓直流(liu)供電(dian)系(xi)統中(zhong)，憑借(jie)高(gao)效(xiao)率(lv)、小體(ti)積與(yu)低成本(ben)優勢(shi)，成為替代(dai)傳統(tong)隔離電(dian)源的(de)主(zhu)流方案(an)。然而，其(qi)直(zhi)接(jie)連(lian)接(jie)市電(dian)（如85–265VAC），無(wu)電(dian)氣隔離屏(ping)障，對PCB布局、散(san)熱(re)設(she)計(ji)與(yu)安(an)規(gui)間距(ju)要(yao)求嚴苛(ke)。壹旦安裝不當(dang)，易引(yin)發過熱(re)失(shi)效(xiao)、電(dian)磁幹擾(rao)超標、甚(shen)至觸電(dian)風險(xian)。科學規(gui)範的(de)安(an)裝BP3318原裝正(zheng)品(pin)，是(shi)保(bao)障產品(pin)安(an)全、可靠與(yu)合(he)規的(de)核心(xin)。
壹、PCB布局：安全與(yu)性(xing)能(neng)並(bing)重(zhong)
高(gao)壓(ya)區與(yu)低壓區嚴格(ge)分(fen)離：
芯片(pian)高(gao)壓(ya)引(yin)腳(jiao)（如DRAIN、VIN）與(yu)低壓控制(zhi)端(duan)（如FB、DIM）之間必(bi)須(xu)設(she)置≥3.0mm的(de)電(dian)氣間隙與(yu)≥2.5mm的(de)爬電(dian)距(ju)離，符(fu)合(he)IEC62368-1安規(gui)要(yao)求；
避免(mian)平(ping)行走線：高(gao)壓(ya)走(zou)線遠離敏(min)感(gan)反饋(kui)信(xin)號(hao)線，防止(zhi)耦合(he)幹擾(rao)導(dao)致電(dian)流漂移(yi)；
地線單點接(jie)地：功(gong)率地（PGND）與(yu)模(mo)擬地（AGND）在芯片(pian)下(xia)方單點連(lian)接(jie)，減少噪(zao)聲串(chuan)擾(rao)。
二(er)、散(san)熱(re)設(she)計(ji)：溫(wen)升控制(zhi)的(de)關鍵(jian)
外(wai)露(lu)散(san)熱(re)焊(han)盤(pan)處(chu)理：
若芯片(pian)底(di)部帶(dai)ExposedPad（EP），必(bi)須(xu)通過多層過(guo)孔陣列（建議9–16個0.3mm孔）連(lian)接(jie)至大(da)面(mian)積(ji)銅箔(bo)散(san)熱(re)區（≥2cm2）；
禁止(zhi)覆蓋(gai)阻焊(han)層(ceng)：散(san)熱(re)焊(han)盤(pan)區域應(ying)開窗，便(bian)於(yu)後續(xu)加裝散(san)熱(re)片(pian)或導熱(re)膠(jiao)；
環(huan)境(jing)溫(wen)度(du)考(kao)量：在密(mi)閉(bi)燈具(ju)中(zhong)，芯片(pian)結(jie)溫需(xu)控制(zhi)在≤125℃，必(bi)要(yao)時增(zeng)加鋁基板(ban)或強制風冷(leng)。
三(san)、元(yuan)件(jian)選型(xing)與(yu)焊(han)接(jie)工藝
輸(shu)入(ru)電(dian)容(rong)耐(nai)壓(ya)匹配(pei)：X電(dian)容(rong)（如(ru)0.47μF/275VAC）與(yu)整流橋後電(dian)解電(dian)容(rong)（≥400V）必(bi)須(xu)滿(man)足額(e)定(ding)電(dian)壓余(yu)量；
采樣(yang)電(dian)阻精(jing)度(du)：恒流(liu)設(she)定(ding)電(dian)阻建議選用(yong)1%精(jing)度(du)、低溫漂（±100ppm/℃）金屬(shu)膜(mo)電(dian)阻；
回流(liu)焊(han)溫(wen)度(du)曲(qu)線：嚴格(ge)遵循(xun)芯片(pian)封(feng)裝推(tui)薦(jian)曲(qu)線（如峰(feng)值(zhi)溫度(du)245℃±5℃，時(shi)間30–60秒(miao)），避免(mian)虛(xu)焊(han)或熱(re)損(sun)傷(shang)。
四、安規(gui)與(yu)防(fang)護(hu)措(cuo)施(shi)
外(wai)殼絕緣保(bao)護(hu)：成品必(bi)須(xu)確(que)保(bao)用(yong)戶不可觸及(ji)任(ren)何高(gao)壓(ya)節(jie)點，驅(qu)動板(ban)加裝絕緣擋(dang)板(ban)或灌(guan)封(feng)膠；
防雷(lei)與(yu)浪(lang)湧(yong)設(she)計(ji)：在AC輸(shu)入(ru)端(duan)增(zeng)加壓敏電(dian)阻（MOV）與(yu)保(bao)險絲(si)，提(ti)升抗電(dian)網沖擊(ji)能力；
EMI濾波：在輸(shu)入(ru)端(duan)配(pei)置π型(xing)濾波器(qi)（共模(mo)+差(cha)模(mo)電(dian)感），滿(man)足EN55015輻射(she)限(xian)值(zhi)。
五、調(tiao)試與(yu)驗(yan)證(zheng)
電(dian)限流測(ce)試：使(shi)用(yong)隔(ge)離調(tiao)壓(ya)器(qi)從0V緩(huan)慢升壓，監(jian)測(ce)輸(shu)入(ru)電(dian)流與(yu)輸(shu)出電(dian)流是否(fou)穩(wen)定(ding)；
滿(man)載溫升測(ce)試：在40℃環境(jing)箱(xiang)中(zhong)連(lian)續(xu)工作(zuo)2小時(shi)，紅(hong)外(wai)測(ce)溫芯片(pian)表面(mian)溫(wen)度(du)應(ying)＜90℃；
絕緣電(dian)阻測(ce)試：高(gao)壓(ya)與(yu)外(wai)殼間施(shi)加500VDC，絕緣電(dian)阻＞10MΩ。
